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[1]Datasheet Driven Turn Off Overvoltage Prediction for Silicon Carbide Power MOSFETs Based on Theoretical Analysis
Cheng Qian Huazhong University of Science and Technology
Room1 /S1&S2 2021年08月27日 08:30~08:45
仅限参会人 口头报告
重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
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