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活动简介
由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办的“第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”定于2008年11月在广州召开。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议,会议将展示化合物半导体,特别是近年来迅猛发展的宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面的发展与最新成就,探讨国际上化合物半导体、微波器件和光电器件以及固体薄膜的现状和发展趋势。召开这次会议的目的是为全国从事该领域的有关研究、教学、生产的科技人员和管理人员提供一个学术与技术交流的平台,增进交流,互相学习,以促进我国该领域的科学技术进步和产业发展。我们热忱欢迎广大学者和科技人员以及相关企业界人士踊跃投稿参加,同时欢迎相关设备、仪器制造领域的科技人员参会交流。
征稿信息

重要日期

2008-07-31
初稿截稿日期

征稿范围

一、征文内容: 1、 GaAs、InP等化合物半导体材料、微波器件及光电器件; 2、 宽禁带化合物半导体(GaN、SiC和ZnO等)材料、性质及器件应用; 3、 硅基异质结构材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制备、器件及其光电集成技术; 4、 纳米(低维)半导体材料、性质及量子器件; 5、 磁性半导体材料的制备、性质及器件应用; 6、 化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造工艺和测试; 7、 化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制
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重要日期
  • 会议日期

    11月21日

    2008

    11月28日

    2008

  • 07月31日 2008

    初稿截稿日期

  • 11月28日 2008

    注册截止日期

主办单位
中国电子学会半导体与集成技术分会
电子材料分会
承办单位
中山大学光电材料与技术国家重点实验室
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