1.   GaAs、InP等化合物半导体材料、微波器件及光电器件；
2.   宽禁带化合物半导体(GaN、SiC、ZnO和金刚石等)材料的制备、性质及器件应用；
3.   硅基异质结构材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制备、器件及其光电集成技术；
4.   纳米(低维)半导体材料、性质及量子器件；
5.   磁性半导体材料的制备、性质及器件应用；
6.   化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造与测试；
7.   化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制造与测试；
8.   化合物半导体微波器件及光电器件制造的其它相关技术，如耦合、封装等；
9.   化合物半导体微波器件和光电器件的可靠性与失效分析；
10. 化合物半导体微波器件和光电器件及系统的应用；
11. 新型化合物半导体材料制备、性质及器件应用；
12. 化合物半导体材料的微结构、表面、界面行为以及生长动力学研究；
13. 化合物半导体和薄膜材料的先进生长设备和测试分析仪器的研制；
14. 化合物半导体材料制备和器件研制相关的基础材料(如金属有机源、高纯金属源、高纯工艺气体等)；
15. 化合物半导体和薄膜材料的表征和测试分析技术；
16. 半导体白光照明材料、器件及应用技术；
17. 其它(如稀土、有机半导体等)半导体材料、性质及器件应用；
18. 化合物半导体敏感材料、制备、表征及应用；
19. 化合物半导体微、纳电子及光电子器件制造、表征及应用；
20. 半导体光电转换材料与器件应用；
21. 集成电路设计；
22. 电介质物理与器件；
23. 其它化合物半导体相关领域最新进展等。