Power Cycling Capabilities of Bond Buffer Technologies for Wide Bandgap Power Devices
编号:68 访问权限:公开 更新:2021-07-21 20:02:33 浏览:162次 张贴报告

报告开始:2021年08月27日 12:01(Asia/Shanghai)

报告时间:1min

所在会场:[P] Poster [P1] Poster 1

摘要
Interconnections on the chip topside are now limiting the lifetime of power modules. It is necessary to replace the bond wire material from Al to Cu with the help of bond buffer technologies in order to fulfill the requirements of wide bandgap power devices under high temperature operation conditions. The reliability performances of different bond buffer technologies are reviewed. The Cu wire bonding shows a robust power cycling capability. The weak point of the packaging has been changed from the bond wire to the substrate or the sinter layer.
关键词
power cycling,bond buffer,reliability,packaging
报告人
Nan Jiang
Guangdon Academy of Sciences

稿件作者
Nan Jiang Guangdon Academy of Sciences
Jianing Wang HeFei University of Technology
Haitao Zhang Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
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重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
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