An Accurate Crosstalk Evaluation and Prediction Method for SiC MOSFET Considering Nonlinear Capacitance and  Stray Parameters
编号:66 访问权限:公开 更新:2021-08-22 19:01:36 浏览:151次 张贴报告

报告开始:2021年08月27日 12:03(Asia/Shanghai)

报告时间:1min

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摘要
In high-frequency applications of SiC MOSFET, crosstalk restricts the switching speed, increases additional switching losses and reduces the system stability. This paper proposes an accurate crosstalk evaluation and prediction method for SiC MOSFET, which considers nonlinear capacitance and stray parameters. This method analyse the influence of drain-to-gate stray capacitance Cdg caused by PCB layout on crosstalk voltage for the first time. The performance of this proposed method is verified and compared experimentally by a double-pulse test (DPT) platform.
 
关键词
SiC MOSFET, crosstalk, nonlinear capacitance, stray parameters
报告人
Huaqing Li
student Xi'an Jiaotong University

稿件作者
Huaqing Li Xi'an Jiaotong University
Chengzi Yang Xi'an Jiaotong University
Longyang Yu Xi'an Jiaotong University
Haoyuan Jin Xi’an Jiaotong University
Xingshuo Liu Xi'an Jiaotong University
Laili Wang Xi'an Jiaotong University
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  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
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Huazhong University of Science and Technology
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