LLC Resonant Converter Based on Trench Gate SiC MOSFET
编号:46 访问权限:公开 更新:2021-08-21 11:02:42 浏览:208次 张贴报告

报告开始:2021年08月27日 12:22(Asia/Shanghai)

报告时间:1min

所在会场:[P] Poster [P1] Poster 1

摘要
LLC resonant converter has become a popular topology for DC-DC converters because of its soft switching characteristics. It has many advantages such as high efficiency, high power density, and low noise. The traditional Si MOSFET LLC resonant converter cannot continue to improve due to the limitations of the Si characteristics in terms of frequency and efficiency. This article explores the advantages of SiC MOSFET in LLC resonant converter, and compares the conversion efficiency for trench-gate SiC MOSFET, planar-gate SiC MOSFET and Si MOSFET.
关键词
LLC resonant converte,SiC MOSFET,reverse recovery characteristics,efficiency
报告人
Jinkun Chu
Anhui University of Technology

稿件作者
Jinkun Chu Anhui University of Technology
Yuming Zhou Anhui University of Technology
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重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
联系方式
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