Comparison of Gate Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs with Different Passivation Technology
编号:31 访问权限:公开 更新:2021-07-21 20:02:09 浏览:167次 张贴报告

报告开始:2021年08月27日 12:36(Asia/Shanghai)

报告时间:1min

所在会场:[P] Poster [P1] Poster 1

摘要
SiN passivation with Si-rich SiN interlayer has been studied in Al0.25Ga0.75N/GaN HEMTs. The off-state current (@Vg = -10V) of devices with Si-rich SiN is 3.8×10-4 mA/mm and that of devices without Si-rich SiN is 0.8×10-2 mA/mm, respectively. The leakage mechanism of schottky gate AlGaN/GaN HEMTs is dominated by Poole-Frenkel (PF) emission. The extracted trap energy level for HEMTs with Si-rich SiN and without Si-rich SiN are 0.65 eV and 0.26 eV, respectively.
 
关键词
AlGaN/GaN HEMTs
报告人
Jielong Liu
Doctor Xidian University

稿件作者
Jielong Liu Xidian University
MIN HAN MI Xidian University
Jiejie Zhu Xidian University
Siyu Liu Xidian University
Xiaohua Ma Xidian University
Yue Hao Xidian University
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重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
联系方式
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