Low Roughness SiC Trench Formed by ICP Etching with Sacrificial Oxidation and Ar Annealing Treatment
编号:26 访问权限:公开 更新:2021-07-29 17:24:29 浏览:186次 张贴报告

报告开始:2021年08月27日 12:41(Asia/Shanghai)

报告时间:1min

所在会场:[P] Poster [P1] Poster 1

摘要
In this paper, the SiC trench with low roughness was formed using ICP etching. A simple post-trench treatment of sacrificial oxidation and Ar annealing was developed to improve the trench surface quality. The sacrificial oxidation can smooth the trench sidewall and eliminate most of the step bunching. Ar annealing further reduce the roughness of the trench sidewall and simultaneously improve the trench shape. Through adopting the post-trench treatment the RMS roughness of the trench sidewall was reduced from 5.25nm to 0.5nm below.
关键词
SiC,ICP etching,Annealing,Trench
报告人
Changwei Zheng
SiC Process Technolo Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co. Ltd.

稿件作者
Changwei Zheng Zhuzhou CRRC Times Electric Company Ltd.
Yafei Wang Zhuzhou CRRC Times Electric Company Ltd.
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重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
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承办单位
Huazhong University of Science and Technology
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