Resonant Gate Drivers For SiC Devices In High Frequency, High Power Density Applications
编号:154 访问权限:仅限参会人 更新:2021-08-30 13:39:44 浏览:569次 课程

报告开始:2021年08月25日 13:30(Asia/Shanghai)

报告时间:60min

所在会场:[T2] Tutorial Session 2 [T2] Tutorial Session 2

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摘要
Resonant Gate Drivers For SiC Devices In High Frequency, High Power Density Applications
关键词
暂无
报告人
Han Peng
Huazhong University of Science and Technology

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重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
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