Analysis of Crosstalk and Suppression Methods for Enhancement-Mode GaN HEMTs in A Phase-Leg Topology
编号:104 访问权限:仅限参会人 更新:2021-08-20 15:20:53 浏览:252次 口头报告

报告开始:2021年08月27日 10:15(Asia/Shanghai)

报告时间:15min

所在会场:[Room2] Oral Session 2 [S5&S6] WBG Device Design and Gate Drivers

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摘要
When using traditional driver circuits, enhanced gallium nitride power devices (eGaN HEMTs) suffer from serious crosstalk problems in a phase-leg topology. An improved active Miller clamp driver circuit is proposed. First, the crosstalk mechanism is analyzed, and the influence of various factors on crosstalk were evaluated experimentally. Then, the operating principle of the improved active Miller clamp driver circuit is discussed, and the optimized parameter design method is given. Finally, the effect of the improved active Miller clamp method to suppress crosstalk is verified on a double pulse test platform.
 
关键词
eGaN HEMT,crosstalk suppression,gate driver,high-speed switching
报告人
Haihong Qin
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics

稿件作者
Haihong Qin Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Wenlu Wang Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Feifei Bu Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Zihe Peng Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Ao Liu Nanjing Electronic Devices Institute
Song Bai Nanjing Electronic Devices Institute
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重要日期
  • 会议日期

    08月25日

    2021

    08月27日

    2021

  • 04月21日 2021

    摘要截稿日期

  • 05月15日 2021

    摘要录用通知日期

  • 06月25日 2021

    终稿截稿日期

  • 08月24日 2021

    报告提交截止日期

  • 08月27日 2021

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
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