314 / 2017-12-08 14:26:30
A 2.6GHz Class-AB GaN Power Amplifier with Maximum Output Power of 56W Achieving 70% Power Added Efficiency
终稿
Zeqiang Chen / Xi'an Jiaotong University
Ken Li / Xi'an Jiaotong University
Kai Jin / Xi'an Jiaotong University
Chenxi Huang / Xi'an Jiaotong University
Peng Li / Xi'an Jiaotong University
Li Geng / Xi'an Jiaotong University
A 2.6GHz class-AB power amplifier (PA) based on GaN transistor is presented. The PA achieves nearly 200MHz bandwidth while maintaining optimal performance. All matching networks are realized by cascade trapezoidal transmission lines, which are designed by an equivalent series strip line model. A paralleled RC tank is placed at the beginning of input and a resistor is placed at the bias path to adjust the stability of PA, which make PA keep stable at the specified frequency range. Results show that the designed PA achieves a maximum 19dB power gain and 56W maximum output power with 70% power added efficiency (PAE).
重要日期
  • 会议日期

    05月17日

    2018

    05月19日

    2018

  • 12月08日 2017

    摘要截稿日期

  • 01月30日 2018

    摘要录用通知日期

  • 02月10日 2018

    初稿截稿日期

  • 02月10日 2018

    终稿截稿日期

  • 05月19日 2018

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE POWER ELECTRONIC SOCIETY
中国电源学会
中国半导体产业创新联盟
承办单位
西安交通大学
西安电子科技大学
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