宽禁带半导体氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。除了碳化硅和氮化镓电力电子器件外,具有更高性能潜力的金刚石、氧化镓等其它新型宽禁带半导体电力电子器件近年来也不断获得技术的突破。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造,氮化镓功率应用与可靠性以及其它新型宽禁带半导体电力电子器件等。将邀请国内外知名专家参加本次会议,呈现氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件研究与应用的最新进展。
征文方向:
大尺寸衬底上GaN基异质结构外延生长和缺陷、应力控制
GaN基电力电子器件技术
GaN衬底材料和厚膜同质外延
GaN电力电子器件可靠性
GaN器件封装技术
GaN电力电子应用
GaN电力电子技术的市场研究
其他第三代半导体电子材料与器件
11月15日
2016
11月17日
2016
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