征稿已开启

查看我的稿件

注册已开启

查看我的门票

已截止
活动简介

宽禁带半导体氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。除了碳化硅和氮化镓电力电子器件外,具有更高性能潜力的金刚石、氧化镓等其它新型宽禁带半导体电力电子器件近年来也不断获得技术的突破。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造,氮化镓功率应用与可靠性以及其它新型宽禁带半导体电力电子器件等。将邀请国内外知名专家参加本次会议,呈现氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件研究与应用的最新进展。

征稿信息

征稿范围

征文方向:

  • 大尺寸衬底上GaN基异质结构外延生长和缺陷、应力控制

  • GaN基电力电子器件技术

  • GaN衬底材料和厚膜同质外延

  • GaN电力电子器件可靠性

  • GaN器件封装技术

  • GaN电力电子应用

  • GaN电力电子技术的市场研究

  • 其他第三代半导体电子材料与器件

留言
验证码 看不清楚,更换一张
全部留言
重要日期
  • 会议日期

    11月15日

    2016

    11月17日

    2016

  • 11月17日 2016

    注册截止日期

主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
承办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
联系方式
移动端
在手机上打开
小程序
打开微信小程序
客服
扫码或点此咨询