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活动简介

碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度,在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。本分会的主题涵盖SiC衬底、同质外延、电力电子器件、模块封装和应用技术。分会广泛征集优秀研究成果,将邀请国内外知名专家参加本次会议,充分展示碳化硅电力电子器件技术及其应用的最新进展。

征稿信息

征稿范围

征文方向:

  • SiC衬底及衬底生长技术

  • SiC同质外延生长技术

  • SiC材料缺陷与表征

  • SiC电力电子器件技术 

  • SiC电力电子器件可靠性

  • SiC电力电子器件封装技术

  • SiC电力电子应用

  • SiC电力电子技术的市场研究

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重要日期
  • 会议日期

    11月15日

    2016

    11月17日

    2016

  • 11月17日 2016

    注册截止日期

主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
承办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
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