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活动简介

金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术自二十世纪六十年代提出以来,取得了飞速进步,目前已经在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量子结构的制备上得到广泛应用,极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化,也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。 作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台,自1989年第一届会议举办以来,“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十三届,规模和影响越来越大,已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。本次会议选择在具有朝鲜族民族特色的边疆开放城市,素有“歌舞之乡”美称的延吉市举行,来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家将在MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域开展广泛交流,了解发展动态,促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步和第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。

征稿信息

重要日期

2016-06-15
初稿截稿日期

征稿范围

会议征文内容:

1.外延生长机理和生长动力学

2.外延结构与物性

3.光电子材料与器件

4.电子材料与器件

5.其他材料与器件

6.封装技术及封装材料

7.设备研制与开发

8.衬底、MO源、高纯气体等基础材料

会议征文要求:

1.符合上述内容的论文摘要;

2.论文摘要主题突出,内容层次分明,数据准确,论述严谨,结论明确,采用法定计量单位;

3.论文摘要以WORD文档形式准备,包含标题、作者及其单位地址、正文、参考文献等在内不超过一页A4纸,相关模板点击下载。

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重要日期
  • 会议日期

    08月16日

    2016

    08月19日

    2016

  • 06月15日 2016

    初稿截稿日期

  • 08月19日 2016

    注册截止日期

主办单位
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
国家半导体照明工程研发及产业联盟
(CSA)
第三代半导体产业技术创新战略联盟
发光学及应用国家重点实验室
应用光学国家重点实验室
半导体照明联合创新国家重点实验室
承办单位
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
国家半导体照明工程研发及产业联盟
(CSA)
第三代半导体产业技术创新战略联盟
发光学及应用国家重点实验室
应用光学国家重点实验室
半导体照明联合创新国家重点实验室
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