Dynamic gate leakage current of p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT under positive bias Conditions
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia P /P3 2021年08月27日 12:25~12:26
公开 张贴报告
Yu Sun  Institute of Microelectronics, Peking University；Chun Han  Peking University
移动端
在手机上打开
小程序
打开微信小程序
客服
扫码或点此咨询