活动简介
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。本分会将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先进封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。分会面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名专家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。
征稿信息
征稿范围
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宽禁带半导体紫外发光材料及新型衬底
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宽禁带半导体紫外探测材料
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高效量子结构设计与生长
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高效固态紫外发光器件
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高灵敏度紫外探测与成像器件
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紫外封装与模组的光提取、热管理及可靠性
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紫外光源与探测应用新进展
全部留言
重要日期
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会议日期
11月15日
2016
至11月17日
2016
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11月17日 2016
注册截止日期
主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
承办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
联系方式
- 贾先生
- ji******@china-led.net
- 183********
- 86-*********
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