活动简介
第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
征稿信息
征稿范围
征文方向：
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高性能微波GaN器件技术
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用于高性能微波器件的GaN外延技术
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GaN微波集成电路技术
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GaN微波器件的可靠性
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GaN微波器件的大信号等效电路模型与物理模型
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GaN器件和电路在移动通信中的应用
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重要日期
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会议日期
11月15日
2016
至11月17日
2016
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11月17日 2016
注册截止日期
主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
承办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
联系方式
- 贾先生
- ji******@china-led.net
- 183********
- 86-*********
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