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活动简介

  全国分子束外延会议每两年举办一次。会议旨在展示我国在分子束外延及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流、探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的主要发展方向,拓宽分子束外延的应用领域,为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,同时也为与分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道,从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。   本次会议由中国科学院半导体研究所承办,中国科学院新疆理化技术研究所协办。会议将邀请国内分子束外延技术领域专家、学者作专题大会报告。   殷切希望我国从事分子束外延技术及相关领域的专家、学者、科研技术人员、学生踊跃参加会议,积极投稿,同时也欢迎与分子束外延技术相关的产品、设备、测试分析仪器等领域的科研技术人员积极参会。凡与会议议题相关的论文均可投稿。

征稿信息

重要日期

2009-06-15
摘要截稿日期
2009-08-31
初稿截稿日期

征稿范围

1.分子束外延生长理论、技术等 2.低维材料生长、分析研究 3.Si,SiGe外延材料生长 4.GaAs,InP基微结构材料生长及相关器件研究 5.Sb化物材料生长及相关器件研究 6.II/VI族材料生长及相关器件研究7. 氮化物材料生长及相关器件研究研究 8.氧化物材料生长及相关器件研究 9.稀磁半导体材料及自旋电子学 10.低温GaAs及太赫兹材料与器件 11.其它与分子束外延技术相关的外延技术、新材料、新器件等。 征文要求: 1.论文要求反映国内外最新研究动态和成果,主题突出、层次分明、论述严谨、数
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重要日期
  • 会议日期

    09月23日

    2009

    09月27日

    2009

  • 06月15日 2009

    摘要截稿日期

  • 08月31日 2009

    初稿截稿日期

  • 09月27日 2009

    注册截止日期

主办单位
中国科学院新疆理化技术研究所
承办单位
中国科学院半导体研究所
协办单位
中国科学院新疆理化技术研究所
联系方式
历届会议
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