活动简介

近年来,宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一,国际半导体及材料领域研究和发展的热点,基于宽禁带半导体材料,半导体照明已经形成巨大规模的产业,并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展,加强各界交流与协同创新,2015年10月,中国电子学会电子材料学分会发起并主办了首届全国宽禁带半导体学术会议(WBSC),会议由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办。自第二届开始,会议更新为由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会两家单位共同主办。广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同承办了第二届大会。

随着大会规模和影响力的不断增强,今年,“全国宽禁带半导体学术会议(WBSC)”迎来了第四届,定于2021年10月12-15日在美丽的鹭岛厦门举办,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办,厦门大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。

届时,来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等,将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。

组委会

名誉主席:曹健林、甘子钊、郑有炓

大会主席:张荣、吴玲

大会副主席:杨辉、张国义

大会执行主席:康俊勇

顾问委员会(按姓氏首字母排序):卞曙光、曹镛、褚君浩、郝跃、何杰、侯洵、黄如、黄维、贾明星、江风益、雷鹏、李树深、刘明、孟徽、潘庆、屠海令、王立军、王圩、王曦、王占国、吴德馨、夏建白、许宁生、叶志镇、周炳琨、周克崧

 

程序委员会:

主  席: 沈波

副主席:李晋闽、徐科、于坤山、阮军

委 员(按姓氏首字母排序):蔡树军、陈弘、陈敬、陈堂胜、陈小龙、陈志祥、杜国同、冯志红、贺东江、黄丰、康俊勇、黎大兵、廖良生、刘纪美、刘木清、刘榕、刘胜、刘新宇、刘益春、龙世兵、陆海、罗毅、孟庆波、潘毅、彭俊彪、邱宇峰、盛况、王钢、王宏兴、王军喜、王晓亮、王新强、吴军、徐现刚、云峰、曾一平、张波、张国华、张国旗、张进成、张乃千、张玉明、赵德刚

 

组织委员会:

主  席: 陈志涛 刘斌

副主席:张书明 李金钗 蔡端俊

委员(按姓氏首字母排序):曹峻松、陈敦军、陈鹏、陈长清、陈志忠、程凯、耿博、顾书林、郭清、郭世平、郝茂盛、黄凯、黄森、金瑞琴、李程、李国强、李忠辉、刘军林、刘扬、刘志强、牛萍娟、潘尧波、孙钱、汪莱、王光绪、王来利、王茂俊、魏同波、许福军、闫建昌、杨兰芳、杨树、叶建东、于彤军、张保平、张纪才、张建立、张源涛、赵璐冰、周琦、左然

 

大会秘书处:

秘书长:高娜

副秘书长:涂长峰

成员:林伟、赵维、王琦、赵红、康香宁、芦丽、贾欣龙等

征稿信息

重要日期

2021-09-01
初稿录用日期

征稿范围

(1)宽禁带半导体材料生长机理和生长动力学

(2)宽禁带半导体外延结构与物性表征

(3)宽禁带半导体光电子器件

(4)宽禁带半导体电子器件

(5)新型宽禁带半导体材料与器件

作者指南

(1)符合上述内容的论文摘要;

(2)论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位;

(3)论文摘要须以WORD文档格式,包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸;

(4)提交截止日前,以电子邮件方式(投稿邮箱:lxl@xmu.edu.cn)提交至会议组委会秘书组;相关模板可登录大会官网或查询附件;

(5)所有论文摘要均编入会议文集。

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重要日期
  • 会议日期

    10月12日

    2021

    10月15日

    2021

  • 09月01日 2021

    初稿录用通知日期

主办单位
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
中国电子学会电子材料学分
承办单位
厦门大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
联系方式
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