317 / 2017-12-08 15:23:59
The Drive Circuit Design for Paralleling Operation of Enhancement GaN HEMT in an Isolated DC-DC converter
GaN,converter,isolated
终稿
Zhang Yajing / Beijing Information Science & Technology University
Wang Jiuhe / Beijing Information Science & Technology University
Trillion Q. Zheng / Beijing Jiaotong University
Li Yan / Beijing Jiaotong University
Li Hong / Beijing Information Science & Technology University
Wang Lijie / Beijing Information Science & Technology University
This paper presents the driving challenges in paralleling of GaN devices in an isolated dc-dc converter. The design rules for gate driver and PCB layout are concluded based on the quantitative analysis of parasitics. The hardware prototype of an 300W flyback forward isolated converter with extensive paralleling of GaN devices is implemented and presented in this paper.
重要日期
  • 会议日期

    05月17日

    2018

    05月19日

    2018

  • 12月08日 2017

    摘要截稿日期

  • 01月30日 2018

    摘要录用通知日期

  • 02月10日 2018

    初稿截稿日期

  • 02月10日 2018

    终稿截稿日期

  • 05月19日 2018

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE POWER ELECTRONIC SOCIETY
中国电源学会
中国半导体产业创新联盟
承办单位
西安交通大学
西安电子科技大学
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