291 / 2017-12-07 17:15:53
Characterization and Detailed Analysis of The Crosstalk With SiC MOSFET
maximum gate-source voltage,synchronous SiC MOSFET,reverse blocking recovery stage
终稿
yang jing / Shandong University School of Electrical Engineering,Jinan City, Shandong Province
feng gao / Shandong University School of Electrical Engineering,Jinan City, Shandong Province
Huadong LI / State Grid Shandong Electric Power Research Institute
Suhong CHEN / State Grid Shandong Electric Power Research Institute
This paper first establishes the equivalent model of the synchronous SiC MOSFET in the double pulse test (DPT) circuit. This paper theoretically analyzes the process of establishing gate-source voltage of the synchronous MOSFET driver circuit, which considers the reverse recovery characteristics of the body diode of the synchronous SiC MOSFET. Based on analysis and simulation verification, the maximum gate-source voltage of synchronous SiC MOSFET happens in reverse blocking recovery stage.
重要日期
  • 会议日期

    05月17日

    2018

    05月19日

    2018

  • 12月08日 2017

    摘要截稿日期

  • 01月30日 2018

    摘要录用通知日期

  • 02月10日 2018

    初稿截稿日期

  • 02月10日 2018

    终稿截稿日期

  • 05月19日 2018

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE POWER ELECTRONIC SOCIETY
中国电源学会
中国半导体产业创新联盟
承办单位
西安交通大学
西安电子科技大学
联系方式
移动端
在手机上打开
小程序
打开微信小程序
客服
扫码或点此咨询