击穿场强和介电损耗是评价绝缘材料最重要的指标。在过去的二十年中，人们通过纳米掺杂技术显著提高了材料的电气性能，取得了里程碑式的重要成果，但受制于纳米粒子团聚、界面调控等难题，其大规模工业化应用仍面临挑战。在雷清泉院士所提出的一维纳元胞概念的启发下，本文发现通过构筑纳米空间结构能显著提高材料的击穿场强。在此思路指导下，本文制备了富纳米孔玻璃纤维绝缘纸(NGFIP)和桥联倍半硅氧烷超电绝缘体(BSSI)。获得了其孔结构特征和电气性能(击穿场强，介电常数，介电损耗)，分析了孔结构特征对宏观电气性能的影响。结果表明：NGFIP的击穿场强高于工业玻璃纤维绝缘纸(IGFIP)，提升幅度分别83.14%(干燥)和29.22%(油浸)。而BSSI的击穿场强远高于IGFIP，提升幅度分别达到570.5%(干燥)和118.1%(油浸)。此外，BSSI和NGFIP具有优异的介电特性，其相对介电常数较IGFIP分别下降48.7%和15.6%。