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基于电压控制电流源型SiC MOSFET 内核PSpice建模

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

基于C2M00120D SPICE模型，对碳化硅(Silicon carbide，SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)静态特性进行分析，结果表明目前存在的一级模型、二级模型和三级模型的模型精度较差，同时分析了CREE公司自带的库文件模型，并在此基础上，考虑MOSFET的众多二级效应，拟合不同的公式，提出了一种基于Pspice仿真软件的精确的SiC MOSFET模型，并且将模型应用于静态仿真电路中，仿真结果与数据手册提供的输出特性、转移特性高度吻合，验证了提出的MOSFET模型的准确性和有效性，为实际应用中采用SiC MOSFET器件进行系统分析提供了重要的依据。