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基于双相移控制的SiC双有源全桥隔离DC-DC变换器实验样机设计

全体主题 > C.各种类型的电力半导体电路、拓扑、装置和系统的分析、控制、设计、调试、故障诊断和试验等技术

SiC器件具有低导通损耗、高工作温度、高工作频率等优点，在学术界和工业界受到广泛关注。本文以双有源全桥隔离DC-DC变换器为研究对象，开展基于双相移控制的1kW SiC实验样机设计。首先，分析变换器在双相移控制下的工作原理，推导了双相移控制下变换器的传输功率数学模型。其次，设计了实验系统中SiC MOSFET驱动模块、控制模块等，并对SiC MOSFET的驱动电路进行了优化设计来减小开关管栅极波形振荡。最后，搭建以TMS320F28335为控制核心的1kW SiC实验样机。该样机能够在硬开关条件下实现96.08%的峰值效率，验证了本文所提出设计的可行性与高效性。