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High mobility and broad spectral responsivity thin film transistors with ultrathin niobium-doped indium oxide channel layer
编号：200
访问权限：公开
更新：2023-12-14 17:27:34
浏览：1273次
口头报告
摘要
abstract1
关键词
暂无
报告人
陈亦哲
工程师 中国科学院武汉病毒研究所全部评论
重要日期
-
会议日期
12月20日
2025
至12月25日
2025
-
09月30日 2025
报告提交截止日期
-
12月26日 2025
初稿截稿日期
-
12月30日 2025
提前注册日期
-
12月30日 2025
注册截止日期
主办单位
aconf
联系方式
- Miss Liu
- li******@chytey.com
- 136********
- 027*********
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