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AlGaN光阴极光谱响应曲线与日盲特性分析研究

11520,11521

AlGaN是一种宽带隙半导体材料，材料中Al含量不同，其禁带宽度有所不同，可实现从3.4eV-6.2eV。基于外光电效应原理可知，用Al含量不同的AlGaN制成的光阴极，其长波阈值也有所不同。本文采用数值计算方法，引入“光谱信噪比”的概念，从长波阈值、光谱信噪比、背景信噪比、目标探测能力四方面对5条AlGaN光阴极光谱响应曲线反映的日盲特性进行对比分析，研究了AlGaN光阴极像增强器光谱响应曲线与日盲特性的关系，使用户能够“见光谱响应曲线而知日盲特性”，提供一种判断AlGaN光阴极像增强器日盲特性的方法。