49 / 2016-10-13 10:34:18

基于可控锗硅纳米线的光电导探测器

锗硅纳米线,光电导探测器,光电导增益,肖特基势垒

纳米线由于其较大的表面体积比而带来一些独特的特性。与体材料相比，纳米线光电导探测器表现出更高的灵敏度和更大的光电导增益。近年来，锗纳米线因其高载流子迁移率在电学应用中受到了广泛关注。在本文中，我们成功制备了基于可控锗硅纳米线的光电导探测器，并初步测试了器件的性能。该器件的暗电流较小，在偏置电压为200 mV时，暗电流仅有1.92 nA。在630-680 nm的宽谱红光照射下，其光电导增益为507。测试发现锗纳米线探测器对近红外波段的光都有响应，且呈现出响应度随着信号光波长变大而减小的规律。下一步我们将继续完善探测器的性能，如降低器件暗电流，缩小器件尺寸等。