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温度对GaN HEMT器件单粒子效应的影响
编号：115
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更新：2026-11-10 11:52:44 浏览：6次
口头报告
报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）
报告时间：暂无持续时间
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摘要
为研究温度对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）单粒子效应的影响规律，基于中国科学院国家空间科学中心单粒子效应飞秒脉冲激光实验平台，开展了不同温度条件下的脉冲激光模拟单粒子效应试验。采用Innoscience公司型号为INN650D150A的GaN HEMT器件，分别在238 K、298 K、323 K和413 K温度下进行测试。结果表明，器件的单粒子烧毁阈值电压（VSEB）随温度升高呈下降趋势，在高温下器件更易触发SEB效应，而低温会提升器件的抗SEB能力。
关键词
GaN HEMT,单粒子烧毁效应,温度,脉冲激光
报告人
梁亚楠
中国科学院国家空间科学中心 中国科学院国家空间科学中心稿件作者
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重要日期
-
会议日期
11月27日
2026
至11月30日
2026
-
09月20日 2026
报告提交截止日期
-
11月13日 2026
初稿截稿日期
-
11月30日 2026
注册截止日期
主办单位
中国空间科学学会空间探测专业委员会
承办单位
中国科学院近代物理研究所
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