报告详情
基于第一性原理的碳纳米管/铜复合材料界面电子结构与导电机制研究
编号：57
访问权限：仅限参会人
更新：2026-03-26 15:26:53 浏览：30次
口头报告
报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）
报告时间：暂无持续时间
所在会场：[暂无会议] [暂无会议段]
暂无文件
摘要
碳纳米管/铜（CNT/Cu）复合材料因其卓越的电学特性在新型电工材料研究中展现出巨大潜力，但其界面电子行为对宏观导电性能的影响仍有待深入探究。本研究基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法，系统构建了嵌入式CNT/Cu复合界面模型。结果发现，CNT中的C-p 轨道与基体 Cu-d 轨道的能级分布在费米能级附近保持相对独立，未观察到明显的轨道杂化共振峰，表明界面结合主要表现为较弱的相互作用。进一步结合电荷差分密度图与 Bader 电荷分析发现，CNT 与Cu 界面处存在显著的电荷转移，清晰地揭示了电子在界面处的转移与空间分布规律。本研究从原子尺度阐明了CNT/Cu复合材料界面的本征导电机理，为开发高性能、高可靠性新型复合电工材料提供理论支撑。
关键词
碳纳米管/铜复合材料；第一性原理；界面电子结构
报告人
杨佳怡
学生 西安理工大学稿件作者
全部评论
重要日期
-
会议日期
04月10日
2026
至04月12日
2026
-
03月16日 2026
初稿截稿日期
主办单位
中国电工技术学会工程电介质专业委员会
承办单位
西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室
联系方式
- 朱远惟
- zh******@xjtu.edu.cn
- 135********
发表评论