ZnO压敏陶瓷离子重排晶界势垒模型的构建及应用
编号:16 访问权限:仅限参会人 更新:2026-03-26 15:05:39 浏览:23次 口头报告

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摘要
现代稳定型ZnO压敏陶瓷的直流老化功耗随时间持续降低,完全不同于功耗不断上升的传统老化现象,给基础老化理论和工程应用均带来了巨大挑战。这种反常的老化现象已经超出了经典离子迁移老化理论的范畴,其非Arrhenius特征也使实际状态评估和寿命预测难以开展。本报告详述了现代稳定型ZnO压敏陶瓷的直流老化及恢复特征:正向伏安特性在直流老化后存在“交叉”现象,老化过程可逆,试样充分恢复后能达到其未老化状态。构建了离子重排晶界势垒模型,可合理解释ZnO压敏陶瓷的直流老化现象:老化功耗取决于界面态消耗与耗尽层离子“U”型分布之间的竞争,前者导致功耗上升而后者有利于功耗降低。稳定型氧化锌压敏陶瓷的势垒界面态在高温、缺氧、气氛、极性反转等条件下不能保持稳定,其原本下降的功耗也能转变为不断上升。此外,广为应用的功耗(泄漏电流)具有显著的电压依赖特性,并不能反映氧化锌压敏陶瓷真实的老化状态,反向老化系数则有望成为一种有效的老化状态表征参数。通过深化现代稳定型氧化锌压敏陶瓷的老化现象、老化机制及状态评估的认识,本报告旨在推进我国高性能ZnO压敏陶瓷生产制造和高端避雷器发展。
 
关键词
氧化锌压敏陶瓷,直流老化,晶界势垒,离子重排,界面态
报告人
程卓林
助理教授 西安交通大学 电气学院

稿件作者
程卓林 西安交通大学 电气学院
王佳乐 西安交通大学电气学院
刘佳潼 西安交通大学电气学院
李建英 西安交通大学
李盛涛 西安交通大学
武康宁 西安交通大学
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  • 03月16日 2026

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主办单位
中国电工技术学会工程电介质专业委员会
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西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室
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