报告详情
多孔TS-1分子筛/聚醚酰亚胺薄膜的制备及高温电容性能研究
编号：12
访问权限：仅限参会人
更新：2026-03-26 15:05:04 浏览：22次
口头报告
报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）
报告时间：暂无持续时间
所在会场：[暂无会议] [暂无会议段]
暂无文件
摘要
聚合物基电介质材料因其击穿强度高、加工性能优异和成本低廉等优点而被广泛应用于金属化薄膜电容器。目前使用最普遍的储能电介质材料为双向拉伸聚丙烯，但是其存在放电能量密度低、耐温性能差等缺陷，已经无法满足现代电力电子系统微型化和集成化的发展要求。因此提高聚合物基电介质材料的储能密度和耐高温性能是储能电介质材料领域的主要挑战。为了进一步提高聚合物薄膜的高温电容性能，我们报告了一种新型复合材料的研究进展，以钛硅分子筛 (TS-1) 为填料对聚醚酰亚胺 (PEI) 进行改性。研究表明，得益于TS-1分子筛的高绝缘特性，所设计的 PEI 纳米复合材料在高温下的泄漏电流密度得到了大幅削弱，击穿强度显著提升。同时在超低TS-1填充量 (0.3 wt%) 下，纳米复合材料在高温下具备优异的放电能量密度，在200℃环境中达到3.34 J·cm-3，效率≥90%。
关键词
TS-1分子筛；聚醚酰亚胺；击穿强度；放电能量密度
报告人
王庆禹
学生 华南理工大学稿件作者
全部评论
重要日期
-
会议日期
04月10日
2026
至04月12日
2026
-
03月16日 2026
初稿截稿日期
主办单位
中国电工技术学会工程电介质专业委员会
承办单位
西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室
联系方式
- 朱远惟
- zh******@xjtu.edu.cn
- 135********
发表评论