非晶碳（a-C）薄膜具有优异的电学性能，被认为是下一代电子器件中极具潜力的半导体材料，因而备受关注。然而，由于其结构复杂且表现出多样的电学行为，a-C薄膜中的载流子输运机制至今仍不明确。本研究选取无氢a-C薄膜，采用高功率脉冲磁控溅射技术进行制备。通过调节沉积过程中的施加偏压，sp²团簇尺寸介于1.63至1.93 nm之间，同时实现了sp²含量在52%左右的稳定调控，并系统研究了其电学行为。结果表明，所有制备的a-C薄膜均呈现n型导电特性，并且载流子浓度稳定在2.1×10¹⁸ cm^-3。非晶碳薄膜的电阻率介于0.3至8.7 Ω·cm之间，其中sp²团簇尺寸较大且结构更有序的薄膜，由于电子迁移率的提升，电阻率相对更低。通过变温I-V测试（100–350 K），发现这些薄膜呈现出三维变程跳跃传导机制，相邻sp²团簇之间的电子跳跃是决定其电学性质的主要因素。本研究为理解非晶碳薄膜的电学行为提供了重要的理论与实验依据，同时也为未来设计高性能碳基电子器件奠定了基础。

非晶碳涂层,电学性能,团簇尺寸