碳化硅颗粒增强铝基复合材料（SiC_p/Al）因兼具高导热、低热膨胀、高刚度和低密度等优异性能，在电子封装散热基板及航空航天结构部件中具有广阔应用前景。然而，然而，传统陶瓷层与SiC_p/Al基板通过钎焊连接形成的多层封装结构，易因层间热膨胀系数失配引发分层、开裂等失效，进而降低器件的电绝缘性、耐腐蚀性和散热可靠性。针对上述问题，本文提出了一种基于微弧氧化及反应共沉积技术的原位一体化结构设计策略，在导热SiC_p/2024Al基板表面原位构建绝缘陶瓷涂层，实现基板与陶瓷层的冶金结合与一体化集成。首先，通过提高涂层致密性来提升电绝缘性，采用微弧氧化软火花模式在基础电解液中构建了高致密Al₂O₃-mullite陶瓷涂层，研究了软火花放电对涂层致密生长的影响与作用机理；为进一步提高电绝缘性，通过在基础电解液中引入高电绝缘hBN纳米颗粒，构建了反应共沉积BN/B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃复合涂层，解决了Al₂O₃-mullite陶瓷涂层击穿电压提升有限的问题；最后，选择SiC_p/2024Al 基板表面微弧氧化绝缘涂层与导电银浆互连，验证封装结构可行性。

SiCp/Al复合材料，微弧氧化，电绝缘涂层