高功率限幅器对于Sub-6 GHz的射频终端至关重要，链路的设计通常需要一个具有大功率容量的限幅器来保证接收系统能够应对大功率的入射微波。传统的分立式限幅器模块和毫米波集成电路（MMIC）大多是基于Si基或GaAs基技术的p-i-n二极管来设计的,受限于击穿电压与恢复时间之间的权衡，难以满足高压、高功率应用的需求。本文提出一种基于SiC衬底外延薄势垒AlGaN/GaN结构的GaN肖特基势垒二极管（SBD），通过引入非凹槽肖特基刻蚀工艺显著提升了器件性能，实现了低于1.2 Ω/0.46 pF的本征指标，同时击穿电压达到150 V，器件品质因子（JFOM）高达43.2 THz·V。基于该器件，设计并实现了一种多级集成的高功率限幅器MMIC，该芯片在4 GHz载频下表现出连续波功率超过50 W、脉冲功率超过100 W的极限承受能力，同时具备小于0.7 dB的插入损耗和14.5 dB以上的回波损耗。展现出目前已知最快的恢复时间39 ns @ 50 dBm，且在全带宽内无尖峰泄露现象，显著优于传统PIN限幅器。
 

限幅器,电磁防护,高压器件,氮化镓