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钛掺杂SnSb4相变存储薄膜的性能调控及机理研究
编号：8 访问权限：仅限参会人 更新：2021-10-21 15:47:49 浏览：134次 分会场邀请报告

报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）

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摘要
通过磁控共溅射法制备出不同钛掺杂含量的SnSb4相变存储薄膜，研究了不同钛掺杂含量SnSb4薄膜在热致和光致作用下的相变动力学过程，总结出钛杂质对SnSb4薄膜结晶温度、析晶激活能、晶态电阻和相变速度的影响规律。从相结构和微结构角度阐述钛掺杂SnSb4薄膜的相变性能调控机理，发现钛杂质以非晶态形式存在于晶界，抑制薄膜结晶过程和细化晶粒尺寸，从而提高SnSb4材料的相变温度和晶态电阻，进而改善其非晶态热稳定性和RESET操作功耗。研究结果表明，钛掺杂SnSb4薄膜在高速、高热稳定、低功耗相变存储器中有着巨大的应用潜力。
关键词
钛掺杂；相变薄膜；性能调控；相变机理
报告人
吴卫华
江苏理工学院

稿件作者
吴卫华 江苏理工学院
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重要日期

  • 会议日期

    12月15日

    2023

    至

    12月17日

    2023

  • 11月30日 2023

    初稿截稿日期

  • 03月08日 2024

    注册截止日期

主办单位
中国真空学会薄膜专业委员会
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