随着移动通讯技术的发展，移动终端数量激增，数据传输量爆发式增长，对更大通带宽度的射频滤波器的需求日益凸显。声表面波滤波器以其低成本，小型化，稳定性优等优势在射频前端模块中得到了广泛使用。提高声表面波滤波器的组成部分——声表面波谐振器的机电耦合系数，也即能提高声表面波滤波器的带宽。本工作提出了一种基于ZnO/SiC结构的新型双模式（瑞利波和西沙瓦波）谐振器，通过有限元模拟的手段验证了部分刻蚀相邻叉指电极之间的压电层，能使两种声波模式的机电耦合系数同时提高。文中系统研究了压电层厚度，刻蚀比例，顶底电极和金属化比对机电耦合系数的影响。准瑞丽波和准西沙瓦波的最大机电耦合系数分别能超过12%和8%，是传统的瑞利波和西沙瓦波的15倍和2.5倍。低声速高机电耦合系数的准瑞利波有利于声表面波器件的小型化，而声速超过5000 m/s的准西沙瓦波可以应用于高频和大带宽的声表面波器件的制备。这种新颖的结构为制造具有优异整体性能的声表面波器件提供了可行的路线。
 

声表面波,ZnO,SiC,机电耦合系数