近年来，半导体产业快速发展，全球薄膜沉积设备需求与日俱增。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）作为化学气相沉积（CVD）工艺的一种，因为具有沉积温度低、对基体的结构和物理性质影响小、膜的厚度及成分均匀性好、膜组织致密少孔、膜层的附着力强等诸多优点，所以应用最为广泛。但是随着集成电路特征尺寸越来越小、薄膜太阳能电池效率和稳定性要求越来越高等，对于成膜均匀性和颗粒的要求也越来越严格。所以，如何提高PECVD的成膜均匀性、提高成膜质量变得非常重要。研究表明，PECVD中，气流动力学参数、热动力学参数和射频以及等离子体参数对成膜质量有重要影响。
    本文根据PECVD的工作原理，首先介绍、分析了几种可能对薄膜沉积速率和薄膜特性有重要影响的因素，如气体流速、流动形态、压强、温度、气体密度、射频功率源的功率精度和稳定性、等离子体密度和电子温度等，然后分别设计了多个仿真，将仿真得到的结果和实际情况相比较，通过分析具体的工艺过程及原理，最终得出结论：气体密度、流场分布、压强、温度、射频功率源的功率精度和稳定性、等离子体密度和电子温度对薄膜沉积的密度、均匀性、应力等特性都有直接影响，并且以上各要素之间存在相互影响。通过进一步地研究发现：保证均匀的流场、热场和射频电场是实现薄膜沉积均匀性的关键，流场、热场和射频电场越均匀，成膜均匀性越高、成膜质量越高。
    流场、热场和射频电场是影响PECVD成膜均匀性、成膜质量的三个主要因素，本文通过分析PECVD中关键因素对成膜质量的影响阐明了部分机理，可为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备的设计研发者和工艺开发者提供提高PECVD成膜均匀性和成膜质量的参考。