报告详情
  1. 活动首页
  2. 报告清单
  3. 报告详情
4d过渡金属氧化物RuO2的薄膜生长及物理性能探究
编号：15 访问权限：仅限参会人 更新：2021-11-10 15:05:27 浏览：236次 口头报告

报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）

报告时间：暂无持续时间

所在会场：[暂无会议] [暂无会议段]

暂无文件

摘要
传统的3d过渡金属氧化（例如CoO，NiO）由于其强的电子关联能及窄的能带展宽，是一种典型Mott绝缘体，并且其强的超交换作用使其成为典型的反铁磁。5d过渡金属氧化物由于较弱的电子关联能及宽的能带展宽，其导电性很强。然而其超交换作用非常弱，因而5d过渡金属氧化物是一类典型的泡利顺磁材料。介于3d和5d之间的4d过渡金属氧化物十分特殊，其不仅有着很高的电导率并且是反铁磁有序性。
作为一类典型的4d过渡金属氧化物，RuO2最近成为反铁磁自旋电子学的研究热点材料。目前，单取向的RuO2薄膜材料主要通过氧化MBE和PLD生长，限制了其后续的应用。我们采用最简单的氧化反应溅射的方式生长多取向的RuO2薄膜，对薄膜质量和其物理性能进行了详细探究。这一研究不仅为RuO2薄膜的生长提供了新的路径，也为其在反铁磁自旋电子学的研究铺平道路。
关键词
4d过渡金属氧化物,薄膜生长及表征,自旋劈裂力矩
报告人
白桦
清华大学材料学院

稿件作者
白桦 清华大学材料学院
成宋 清华大学
发表评论
验证码 看不清楚，更换一张
全部评论
重要日期

  • 会议日期

    12月15日

    2023

    至

    12月17日

    2023

  • 11月30日 2023

    初稿截稿日期

  • 03月08日 2024

    注册截止日期

主办单位
中国真空学会薄膜专业委员会
联系方式
登录查看完整联系方式
历届会议
移动端
在手机上打开
小程序
打开微信小程序
客服
扫码或点此咨询