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一种由相变纳米团簇可逆成核控制的人工神经元
编号：12 访问权限：仅限参会人 更新：2021-11-09 14:33:37 浏览：185次 口头报告

报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）

报告时间：暂无持续时间

所在会场：[暂无会议] [暂无会议段]

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摘要
实现人工智能的一个重要途径是寻找有利于构造神经网络的逼近神经元的基本单元。我们展示了一种人工神经元体系Pd/AlNO/Nb/AlNO/Pd，其中相变纳米团簇NbO自适应地在两个具有不同分布模式的相邻电介质层AlNO中成核。这种记忆系统对增加的刺激强度和阈刺激后激发的动作电位作出增强反应。通过高分辨率透射电镜的原位和非原位检测，证实了相变纳米团簇的可逆形核。这种动力学控制着两个介电层的作用，这两个介电层分别由树突层和轴突层定义。我们的紧凑记忆系统有可能实现完整神经元的复杂功能，并在神经形态计算中发挥重要作用。
 
关键词
忆阻器；相变；纳米团簇；突触学习；氧化铌
报告人
万钦
清华大学材料学院

稿件作者
万钦 清华大学材料学院
曾飞 清华大学材料学院
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重要日期

  • 会议日期

    12月15日

    2023

    至

    12月17日

    2023

  • 11月30日 2023

    初稿截稿日期

  • 03月08日 2024

    注册截止日期

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中国真空学会薄膜专业委员会
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