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新型透明导电薄膜ITO: W的制备及性能优化

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透明导电薄膜常在光电子器件上作为透明电极使用，ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜，IWO薄膜拥有高迁移率的优势。为了进一步提升ITO薄膜透明导电性能，通过射频磁控溅射制备出ITO:W透明导电薄膜并优化工艺条件。在基板温度320 ℃，溅射功率80 W，沉积时间15 min，工作压强0.6 Pa条件下在石英基板上得到了光电性能优良的ITO:W薄膜，其方块电阻10.5 Ω/□, 电阻率4.41×10^-4 Ω·cm，对应载流子浓度2.23×10²⁰ cm^-3，迁移率27.3 cm²/(V·s)，可见光范围(400-700 nm)内平均透射率90.97 %。