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半导体-Bi2Se3范德华异质结原位构筑及其光电响应特性

半导体,异质结、,光电探测,红外探测,紫外探测

虽然，pn结是光电探测器件的最主要结构形式，但有些半导体无法构筑pn结或所构筑pn结的光电响应特性并不好，为此，本报告描述了一种半导体与拓扑绝缘体Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>构筑范德华异质结的解决方案，并以PbSe-Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>范德华异质结对红外线的光电响应特性以及Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>范德华异质结对紫外线的光电响应特性为例，初步评估了半导体-Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>范德华异质结的潜在技术价值。