电磁故障注入攻击对DRAM安全性的影响研究第十九届全国容错计算学术会议 CFTC 2021

报告详情

电磁故障注入攻击对DRAM安全性的影响研究

编号：101 访问权限：仅限参会人更新：2021-12-07 19:43:52 浏览：230次口头报告

报告开始：2021年12月12日 13:45（Asia/Shanghai）

报告时间：15min

所在会场：[S2] 论文报告会场2 [S2.7&8] Session 7&8 硬件安全

暂无文件

摘要

暂无

关键词

暂无

报告人

刘强

天津大学

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标，该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击，对出现的故障进行统计分类，随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理, 最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障，且以多故障为主。分析发现，电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外，该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥，证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁，展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。