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基于端子等效电容的高耦合分裂电抗器宽频建模方法

高耦合分裂电抗器（HCSR）的电容效应广泛存在于内部包封各匝线圈之间，具有分布化的特点。本文研究了将HCSR内部包封各匝线圈间的部分电容参数等效为包封端子等效电容的一般化方法。端子等效电容计算方法主要包括计算HCSR内部各包封以及各匝线圈之间的部分电容以及对地电容、计算感应系数矩阵、计算端子的感应系数矩阵、计算端子之间的部分电容以及对地电容。通过研究这些集总电容参数与HCSR内部各导体间电容效应的关联关系，可以在实际HCSR设计过程中直接改善HCSR结构实现对电容效应的调控。进行了故障限流器用高耦合分裂电抗器的实验以及仿真，通过对比实验以及仿真结果，验证了建模方法的正确性。在HCSR的故障限流器应用中，由于电力系统主断路器恢复电压主要受限流器的杂散电容影响，可以调整HCSR设计参数影响电容效应，进一步影响电力系统主断路器的恢复电压。进行了不同设计参数下的仿真计算，通过调整HCSR与端子等效电容相关设计参数，实现了系统主断路器恢复电压的调控。