204 / 2020-09-20 20:44:03

铜基铌薄膜的PECVD制备及表征

射频超导，PECVD，薄膜生长

       纯铌射频超导腔由于具有更高的加速梯度被用于强流重离子加速器、加速器驱动嬗变研究等大科学装置中，为了降低纯铌腔的运行成本，增加导热性，铜基铌薄膜腔被发展。本文采用等离子体增强的化学气相沉积技术(PECVD)，使用NbCl5作为前驱体，H2作为还原剂，制备了均匀的致密铜基铌薄膜样片，经过SEM、XRD、XPS、EDX表征发现PECVD技术制备的薄膜质量较好，且可明显降低薄膜生长温度，表明了PECVD技术在射频超导薄膜制备方面的巨大潜力，为接下来铜基铌薄膜射频超导腔制备奠定基础。