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113 / 2021-03-18 14:19:50
Improved performance of GaN-based LEDs with PVD AlN
PVD AlN, crystal quality, LEDs
Compound Semiconductor Materials, and Optoelectro- nic Devices > Compound Semiconductor Materials, Devices and Technologies
终稿
WEI JUN CHEN / 深圳晶相技术有限公司
YAN JUN LIU / 深圳晶相技术有限公司
AVA CHEN LI / 深圳市晶相技术有限公司
The crystal quality of GaN based light emitting diodes (LEDs) with sputtered physical vapor deposition (PVD) aluminum nitride (AlN) nucleation layers were investigated. Is was found that the crystal quality in terms of defect density and X-ray diffraction linewidth was greatly improved. The light output power was increased, and reverse bias voltage of leakage current was increased on LEDs with PVD AlN nucleation layers.
重要日期

  • 会议日期

    07月10日

    2021

    至

    07月12日

    2021

  • 05月10日 2021

    初稿截稿日期

  • 07月06日 2021

    注册截止日期

主办单位
长沙理工大学
协办单位
IEEE Electron Devices Society
IEEE
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