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743 / 2019-07-15 22:19:07

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轧制钨的低能氘等离子体驱动渗透行为

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全体主题 > 聚变材料与技术

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作者

刘皓东 / 中国科学院等离子体物理研究所

摘要

本文利用中科院等离子体所的直线等离子体装置PREFACE在750-973 K温度区间对轧制钨的瞬态渗透曲线和稳态渗透量进行了测量。实验结果表明，轧制钨的中的缺陷对于氘在钨中的扩散系数有重要影响。在910 K以下，氘稳态渗透量随温度快速上升；在910 K以上，氘稳态渗透量随温度缓慢上升，这可能与高温下氘和钨表面杂质反应增强有关。