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CFETR 内中子屏蔽层设计与分析

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内中子屏蔽层（IWS-In Wall Shielding）是中国热核聚变实验装置（CFETR）中核心装置-真空室（VV-Vacuum Vessel）的重要组成部分。IWS设计为真空室壳体之间由多个屏蔽插件以及相关的支撑结构装配而成，填充一定形状和尺寸，用于屏蔽聚变反应中产生的中子流，防止其穿透真空室对其它部件特别是磁体部件产生辐射。
本报告根据CFETR真空室设计结构特点以及中子屏蔽计算结果，介绍了IWS结构设计过程，并选取单扇区真空室结构内的IWS进行结构强度分析和电磁分析，验证设计的合理性。