摘要详情

ID / 提交时间

1352 / 2019-11-15 15:45:11

标题

化学气相沉积钨（CVD-W）技术及其在核聚变中的应用展望

关键字

主题及专题

全体主题 > 聚变材料与技术

状态

摘要待审

作者

洋于 / 国家钨材料工程技术研究中心、厦门钨业股份有限公司

摘要

化学气相沉积钨（CVD-W）材料具有超高纯度、高致密、高热导率、与基体材料结合强度好等特点，沉积在铜、铜合金、低活化钢、石墨等基体表面制成的测试模块可经受一定热疲劳测试后完好，是第一壁低热负荷区域表面材料及低活化钢包层表面防护材料良好的候选材料之一。近年来，厦钨通过原位反应制备的微量碳掺杂CVD-W材料涂层具有涂层微观组织稳定性高，涂层的再结晶温度高达1900℃，更多的性能还在进一步测试中。