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1293 / 2019-10-31 13:03:45

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温度对钨偏滤器靶材中He滞留行为影响的模拟研究

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全体主题 > 聚变材料与技术

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本研究基于氦在钨中的反应速率模型，模拟了氦在钨中生长及演化过程。模拟在不同辐照剂量下探究了温度对He泡生长过程的影响。我们的模型揭示了，温度显著的影响了He泡在W体相内的尺寸及密度分布，而在相同条件下He泡的分布和尺寸却几乎不受到流强变化的影响。伴随着温度的升高，He泡半径由750 K的8 nm增长至3000 K条件下的近30 nm，而He泡密度却随着温度的升高而持续降低。