1277 / 2019-10-30 22:59:15
HL-2A装置上磁扰动对逃逸电流的耗散作用的研究
摘要录用
董云波 / 核工业西南物理研究院
由于逃逸电子的速度接近光速,它的输运主要由磁涨落决定,小的磁涨落(b ~ 10−4)就会导致较大的逃逸损失。利用磁扰动对逃逸电流的耗散这一特性,在HL-2A上利用SMBI在逃逸平台期间注入小气量氩气,成功激发了低频磁扰动。此扰动的频率为2-4kHz,具有m=2的磁岛结构。该磁扰动出现后逃逸电流的衰减率dI/dt有所增加,回旋辐射随即减弱,而热辐射和软X射线辐射显著增强。实验中可以通过控制杂质气体注入量来控制低频磁扰动的强度,从而控制逃逸电流的耗散。
重要日期
  • 会议日期

    11月25日

    2019

    11月29日

    2019

  • 11月25日 2019

    摘要截稿日期

  • 11月29日 2019

    注册截止日期

承办单位
核工业西南物理研究院
中国物理学会等离子体物理分会
乐山市人民政府
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